ICS 71. 060. 99 G 12 GD 中华人民共和国国家标准 GB/T 298562013 半导体性单壁碳纳米管的近红外 光致发光光谱表征方法 Characterization of semiconducting single-walled carbon nanotubes using near infrared photoluminescence spectroscopy 2013-11-12 发布 2014-04-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 29856—2013 目 次 前言 引言 范围 规范性引用文件 3 术语和定义 原理 4. 1 单壁碳纳米管的结构 4. 2 能带结构和光致发光峰 5仪器 5.1 近红外光致发光光谱仪 5.2光源 制样方法 6 测量方法 8实验数据处理及结果分析 8.1样品中半导体性单壁碳纳米管手性指数的指认 8.2样品中半导体性单壁碳纳米管的相对质量浓度 9不确定度影响因素分析 10测试报告 附录A（资料性附录） 半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱分析 参考文献 GB/T29856—2013 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由中国科学院提出 本标准由全国纳米技术标准化技术委员会（SAC/TC279）归口。 本标准起草单位：国家纳米科学中心。 本标准要起草人：江潮、干志芳、艾楠、李彦、干孝平、高洁， I GB/T29856—2013 引言 单壁碳纳米管（single-walledcarbonnanotubes，SWCNT）的带隙荧光现象为低维材料独特电子结 构的表征提供了新方法。此方法能够给出试样中所含有的半导体性单壁碳纳米管的手性指数和他们的 相对光致发光积分强度。根据光致发光截面的信息，可以估算得到样品中不同手性的半导体性单壁碳 纳米管的相对质量浓度。 IV GB/T29856—2013 半导体性单壁碳纳米管的近红外 光致发光光谱表征方法 1范围 仪器、制样方法、测量步骤、实验数据处理及结果分析、不确定度影响因素分析和测试报告等内容。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T13966分析仪器术语 GB/T19619纳米材料术语 ogy and definitions—Part 4:Carbon nano-objects) 3术语和定义 GB/T13966、GB/T19619和ISOTS80004-4界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3. 1 单壁碳纳米管的手性chiralityof single-walledcarbonnanotubes 用于描述单壁碳纳米管结构的失量符号。 3.2 手性指数chiralindices 描述单壁碳纳米管手性矢量的两个整数。 3.3 相对质量浓度 relative mass concentration 某种手性的单壁碳纳米管相对于所有检测到的半导体性单壁碳纳米管的质量比例。 4原理 此方法根据单壁碳纳米管光致发光位置确定该碳管的手性指数，根据单壁碳纳米管的光致发光积 分强度和已知的光致发光截面估算单壁碳纳米管样品中各种半导体性单壁碳纳米管组成的相对质量 浓度。 4.1单壁碳纳米管的结构 矢量Ch来定义，C=nai十ma2，其中ai和a为基矢（见图1），也可以由手性指数（n，m）来定义。 1