UDC 621.382 : 681.11 L 55 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 14030—92 半导体集成电路时基电路 测试方法的基本原理 General principles of measuring methods of timer circuits for semiconductor integrated circuits 国家标准全文公开系统专用，此文本仅供个人学习、研究之用 未经授权，禁止复制、发行、汇编、翻译或网络传播等，侵权必究。 全国标准信息公共服务平台：https：//stdl.samr.gov.cn 1992-12-18发布 1993-08-01实施 国家技术监督局 发布 中华人民共和国国家标准 半导体集成电路时基电路 测试方法的基本原理 GB/T 14030-92 General principles of measuring methods of timer circuits for semiconductor integrated circuits 本标准规定了半导体集成电路时基电路（以下简称器件或时基电路)电参数测试方法的基本原理。 时基电路与CMOS电路相同的静态参数和动态参数测试可参照GB3834《半导体集成电路CMOS 电路测试方法的基本原理》。 1总的要求 1.1若无特殊说明，测试期间，环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定。 1.2测试期间，施于被测器件的电参量应符合器件详细规范的规定。 1.3测试期间，应避免外界干扰对测试精度的影响。测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的 规定。 1.4被测器件与测试系统连接或断开时，不应超过器件的使用极限条件。 1.5若有要求时，应按器件详细规范规定的顺序接通电源。 1.6测试期间，被测器件应连接器件详细规范规定的外围电路和补偿网络 1.7若电参数值是由几步测试的结果经计算而确定时，这些测试的时间间隔应尽可能短。 1.8本标准的参数定义按如下规定的真值表给出，如被测器件与本规定不符合时，可对测试电路进行 相应的调整。 引出端名称 值端 触发端 复位端 引出端符号 TH TR RES OUT x x L L 规范 x 1 H H H H H H 表中：L为低电平，H为高电平，X为任意电平。 2参数测试 2.1复位电压Vk 2.1.1目的 在器件输出电压为低电平时，测试复位端施加的临界输入电压。 2.1.2测试原理图 VR测试原理图见图1。 国家技术监督局1992-12-18批准 1993-08-01实施 GB/T 14030--92 电源 RES 被测器件 可调直流 电源 图1 2.1.3测试条件 测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。 a。环境温度； b．电源电压。 2.1.4测试程序 2.1.4.1将被测器件接入测试系统中。 2.1.4.2接通电源。 2.1.4.3触发端接地，在复位端接输入电压Vi,调节Vi,使输出电压Vo翻转为低电平时，读取输入电 压Vi值，即为VR。 2.2复位电流Ik 2.2.1目的 在复位电压范围内，测试流经复位端的最大电流。 2.2.2测试原理图 IR测试原理图见图2。 电源 RES 被测器件 可调直流 电源 图 2 2.2.3测试条件 测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。 2