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ICS77.040 CCSH21 中华人民共和国国家标准 GB/T44558—2024 Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法 TestmethodfordislocationimaginginⅢ-nitridesemiconductormaterials— Transmissionelectronmicroscopy 2024-09-29发布 2025-04-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布 前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、江苏第三 代半导体研究院有限公司、苏州科技大学、北京大学、国家纳米科学中心、北京大学东莞光电研究院、 东莞市中镓半导体科技有限公司、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、苏州大学、山东浪潮华光光电子股 份有限公司、北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司。 本文件主要起草人:曾雄辉、董晓鸣、苏旭军、牛牧童、王建峰、徐科、王晓丹、徐军、郭延军、陈家凡、 王新强、颜建锋、敖松泉、唐明华、闫宝华、李艳明。 ⅠGB/T44558—2024
GB-T 44558-2024 III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法
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