ICS 27. 120. 01 F 80 中华人民共和国国家标准 GB/T116852003 代替GB/T8992--1988GB/T11685—1989 半导体X射线探测器系统 和半导体X射线能谱仪的测量方法 Measurement procedures for semiconductor X-ray detector system and semiconductor X-ray energy spectrometers 2003-07-07发布 2004-01-01实施 中华人民共和国 发布 国家质量监督检验检疫总局 GB/T11685—2003 前言 本标准是对GB/T8992—1988《硅（锂）X射线探测器系统测量方法》和GB/T11685—1989《半导 体X射线能谱仪的测量方法》的合并和修订。GB/T8992—1988和GB/T11685-1989均是非等效采 用IEC60759：1983（见参考文献[1])编制的。 本标准代替GB/T8992--1988和GB/T11685一1989。 本标准包括半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法。由于探测器系统的输 出必须通过主放大器输人多道分析器，然后在多道分析器上获取X射线能谱方能观察和确定其性能特 性，所以探测器系统和能谱仪基本上采用相同的测量方法。本标准既保留了GB/T11685一1989的完 整性和GB/T8992一1988的可操作性，又通过有机地捏合，将两项标准合并为统一的新版本。 本标准对GB/T8992—1988和GB/T11685-1989的主要修改如下： a）对半导体X射线探测器系统的测量不限于硅（锂）X射线探测器系统； b）对半导体X射线能谱仪，测量的是多道分析器上能谱（全能峰及峰位或谱线）的性能特性： c）第3章的“术语和定义”按物理意义和逻辑关系排列，增加了“半导体探测器”、“半导体X射线 拟一数字变换器”等简单明了的术语； （P 参考IEC60759增加了第11章“过载效应”； 修改了少量符号，例如，多道分析器的道数（道址）用m，而不用N或X； 规范了“被测对象”、“测量设备”和“测量系统”的概念； 一列出了主要被测的性能特性； 一规定了测量的条件（包括环境条件和放射源等）； 指出了探测器系统和能谱仪采用相同的测量方法以及细节上的差异。 g） 将“从X能量分辨率计算电噪声的近似值”的内容由正文调整为附录A； h) 规范了章条的标题和内容，例如，将第7章的标题由“脉冲幅度线性”直接改为“积分非线性”， i) 为提高本标准的可操作性，适应新技术的发展，测量中一般给出通用方法，特别具体的方法则 用示例的形式给出； j) 格式按GB/T1.1一2000等标准的要求编写，在一些条中增加了子条标题，将图和表集中到正 文的后面。 本标准的附录A是资料性附录。 本标准由全国核仪器仪表标准化技术委员会提出。 本标准由核工业标准化研究所归口。 本标准起草单位：核工业标准化研究所。 本标准主要起草人：熊正隆。